0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计(英文)

作     者：朱科翰 于宗光 董树荣 韩雁 Zhu Kehan;Yu Zongguang;Dong Shurong;Han Yan

作者机构：江南大学信息学院无锡214000 中国电子科技集团第58研究所无锡214035 浙江大学信息与电子工程学系ESD实验室杭州310027 

基　　金：the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2007026) the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(No.Y107055)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2008年第29卷第11期

页      码：2164-2168页

摘      要：提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流（μpA）和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达～94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.

主 题 词：静电放电 双向SCR 骤回 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.017

馆 藏 号：203139923...