PCS先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺

作     者：付志强 唐春和 梁彤祥 

作者机构：清华大学核能技术设计研究院北京100084 

出 版 物：《材料工程》 (Journal of Materials Engineering)

年 卷 期：2003年第31卷第3期

页      码：28-30页

摘      要：在聚碳硅烷 (PCS)先驱体转化法制备 Si C涂层的浸渍工艺参数中 ,浸渍溶液的 PCS浓度对涂层形貌影响最大 ,而其他参数的影响很小。当 PCS的浓度不大于 30 %时均可以获得均匀、致密的 Si C涂层。随着 PCS浓度的增大 ,涂层厚度增加 ;单次浸渍可获得的 Si C涂层最大厚度为 1～ 2 μm。

主 题 词：SiC涂层 聚碳硅烷 浸渍 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 082701[082701] 0827[工学-食品科学与工程类] 0802[工学-机械学] 0825[工学-环境科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-4381.2003.03.008

馆 藏 号：203140029...