一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路

作     者：鲍剑 王志功 李智群 BAO Jian;WANG Zhi-gong;LI Zhi-qun

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：本研究得到国家863计划射频与超高速芯片多项目圆片服务(2002AA1Z1711)支持 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2005年第5卷第8期

页      码：27-31,22页

摘      要：本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到了7kV。

主 题 词：ESD ESD保护 动态栅极悬浮 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2005.08.008

馆 藏 号：203140222...