一种低压CMOS带隙电压基准源

作     者：郑浩 叶星宁 

作者机构：电子科技大学四川成都610054 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2005年第35卷第5期

页      码：542-544,548页

摘      要：设计了一种与标准CMOS工艺兼容的低压带隙电压基准源,该电路应用二阶曲率补偿,以及两级运算放大器,采用0.8 μm BSIM3v3 CMOS工艺,其中,Vthn＝0.85 V,Vthp＝-0.95 V.用Cadence Spectre软件仿真得出:最小电源电压1.8 V,输出电压590 mV,在0～100 ℃范围内,温度系数(TC)可达15 ppm /℃,在27 ℃时输出电压变化率为±2.95 mV/V.博士研究生,副教授,主要从事功率集成电路设计和电力电子技术应用研究与教学工作.

主 题 词：CMOS 带隙电压基准源 低压 温度系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203140242...