埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响

作     者：宋庆文 胡夏融 冯灏 SONG Qingwen;HU Xiarong;Feng Hao

作者机构：西华大学物理与化学学院成都610039 

基　　金：四川省教育厅科研项目(14ZB0132) 西华大学校级重点科研项目(z1323318) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2015年第45卷第2期

页      码：253-257页

摘      要：研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2/Rs,on设计优值最大。指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压Triple-RESURF LDMOS的设计提供了参考。

主 题 词：Triple-RESURF 击穿电压 LDMOS 纵向电场 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2015.02.026

馆 藏 号：203140242...