中子半影成像的数值模拟

作     者：赵宗清 丁永坤 刘东剑 唐昶环 温树槐 蒲以康 ZHAO Zong-qing;DING Yong-kun;LIU Dong-jian;TANG Chang-huan;WEN Shu-huai;PU Yi-kang

作者机构：清华大学工程物理系北京100084 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900 

基　　金：国家863计划项目资助课题 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2006年第18卷第7期

页      码：1203-1207页

摘      要：半影成像具有灵敏度高的特点,该技术是未来惯性约束聚变(ICF)中子成像的主要技术路线。基于中子半影成像的基本要求,利用蒙特卡罗方法,采用偏移抽样法和面通量的体通量替代技巧,模拟中子在半影成像系统中的输运,得到2维图像,并通过图像重建程序得到重建的源区图像。利用模拟结果,对编码孔屏蔽材料的选择和外径设计进行了初步优化,最终选择5 cm厚的钨屏蔽材料,其编码孔外径为1 cm。

主 题 词：半影成像 MCNP程序 编码孔 中子 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 082701[082701] 070204[070204] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203140263...