夹心式a—Si：H光阴极

作     者：陈元星 海宇涵 等 

作者机构：中国科学院电子所，北京 

出 版 物：《薄膜科学与技术》 

年 卷 期：1991年第4卷第4期

页      码：59-62页

摘      要：为了提高a-Si:H光电发射的量子效率，设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O，并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究，它的光谱响应复盖整个可见光区，长玻限在0.82um，知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关，在15V偏压下，积分灵敏度为30um/Lm，峰值量子效率为2.1%。

主 题 词：非晶硅 薄膜 光阴极 夹心式aSi:H 量子效率 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203140361...