单直波导光学环腔器件的Q值研究

作     者：陈曜 

作者机构：广西大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室广西南宁530004 广西大学物理科学与工程技术学院广西南宁530004 

基　　金：本文工作得到了广西大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室开放基金(GXKFJ09-17)的支持 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2011年第22卷第5期

页      码：697-700页

摘      要：为实现高品质因数Q值的光学环腔器件,采用耦合模理论,仿真得出单直波导光学环腔器件的Q值与自耦合系数的关系曲线。以Si3N4为材料,采用与CMOS工艺相兼容的技术制备了波导宽度为2μm,半径为200μm的Si3N4单直波导光学环腔器件。在相同的制备工艺下,同一芯片中不同光学环腔的传输系数相同,通过设计器件中环腔与直波导的间距取得不同的自耦合系数,实验得出器件Q值与自耦合系数的关系,其结果与仿真相一致,因此得出了器件工作在低传输损耗及弱耦合条件下可以取得高Q值的结论。

主 题 词：光学环腔 Q值 仿真 制备 

学科分类：0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2011.05.009

馆 藏 号：203140390...