基于TSV技术的硅基高压电容器

作     者：杨志 董春晖 王敏 王敬轩 商庆杰 付兴中 张力江 YANG Zhi;DONG Chunhui;WANG Min;WANG Jingxuan;SHANG Qingjie;FU Xingzhong;ZHANG Lijiang

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)

年 卷 期：2024年第45卷第5期

页      码：36-38页

摘      要：以微机电系统(MEMS)工艺设计并制作了一种基于TSV技术的高压电容器。给出了电容器的结构形式,理论分析计算了电容器的容值参数,设计得到了容值为2 nF,芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.3 mm的硅基电容器。提出一套MEMS工艺的硅基电容器的制作流程,实现了电容器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的高压电容器的容值与设计值基本一致,击穿电压可以达到280 V。硅基高压电容器具有电容密度高、一致性好、易生产的特点,适合高压电子系统的应用发展需求。

主 题 词：微电子机械系统 硅基电容器 高压 TSV 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14176/j.issn.1001-3474.2024.05.010

馆 藏 号：203141107...