微弧氧化机理及电击穿模型

作     者：陈宏 郝建民 冯忠绪 CHEN Hong;HAO Jian-min;FENG Zhong-xu

作者机构：长安大学工程机械学院陕西西安710064 

基　　金：长安大学青年科技基金项目(06Q03) 

出 版 物：《长安大学学报（自然科学版）》 (Journal of Chang’an University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2008年第28卷第5期

页      码：116-119页

摘      要：为了研究微弧氧化的基本过程和机理,采用自行设计的气体介质电极击穿放电试验装置,测量了微弧氧化过程中阴极和阳极之间的距离与最低击穿电压的关系曲线,并建立了微弧氧化阳极气泡击穿理论模型和阳极等效电路。结果表明:最低击穿电压Vk值大小随阴、阳极之间距离增大而近似线性增加,微弧氧化膜层是在气泡位于陶瓷层的孔隙处时而生长;阳极气泡击穿理论模型能够合理地解释微弧氧化的基本过程和机理,并为改善微弧氧化工艺和提高膜层性能提供了理论基础。

主 题 词：机械工程 微弧氧化 电击穿模型 气泡击穿理论 阳极等效电路 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1671-8879.2008.05.027

馆 藏 号：203142061...