一种高PSR CMOS带隙基准电路设计

作     者：贺志伟 姜岩峰 HE Zhi-wei;JIANG Yan-feng

作者机构：北方工业大学微电子研究中心北京100144 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2014年第37卷第13期

页      码：153-155,158页

摘      要：为了降低芯片电路功耗，电源电压需要不断的减小，这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对这一问题进行相关研究，采用SMIC 0.18μm工艺，设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表明，该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100 kHz分别为-65.13 dB和-53.85 dB；在2-6 V电源电压下，工作电流为30μA，温度系数为30.38 ppm/℃，电压调整率为71.47μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。

主 题 词：带隙基准电压 低功耗 电源抑制 电路设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2014.13.025

馆 藏 号：203142098...