基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析

作     者：杨维明 陈建新 史辰 李振国 高铭洁 

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院 

基　　金：北京市自然科学基金资助项目(4032005) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2005年第35卷第1期

页      码：1-4页

摘      要：给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算 了器件的稳定性与工作频率之间的关系。为器件的设计和应用提供了理论依据。

主 题 词：锗硅合金 异质结双极晶体管 电路模型 模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2005.01.001

馆 藏 号：203142326...