硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性分析及其应用

作     者：翟冬青 李彦波 张振岭 

作者机构：河北大学电子系 石家庄无线电二厂 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1990年第6卷第2期

页      码：49-52页

摘      要：本文对硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流子迁移率和E_g随温度变化而变化有关。导出了h_(FE)相对变化率的表达式,并由此设计制造了一种低温度变化率的晶体管。

主 题 词：硅 双极 晶体管 温度 相关性 hFE 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1990.02.012

馆 藏 号：203142371...