一种获得GaAs/GaAlAs多量子阱材料带边附近折射率色散关系的方法

作     者：谢苑林 陈正豪 周岳亮 杨国桢 顾世杰 

作者机构：中国科学院物理研究所北京100080 中国高等科学技术中心(世界实验室) 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1990年第39卷第6期

页      码：977-983页

摘      要：本文提供了一种在GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)材料的直接带边附近折射率参数色散关系的获得方法。其特点是在多层介质膜系统中用光学传递矩阵对MQW进行处理的基础上引入室温激子振荡因子,然后对材料的实验反射谱进行拟合。这种色散关系对于光电器件设计及其理论期望来讲是十分重要的。这种方法除能得到折射率实部与虚部的色散关系外,还可得到激子共振吸收谱。

主 题 词：GaAs GaA1As 多量子阱 折射率 色散 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.39.135

馆 藏 号：203142567...