一种提高地磁传感器抗干扰能力的补偿算法

作     者：谢凤玲 童向杰 凌小兵 周勇 刘玉鹏 张绍磊 XIE Fengling;TONG Xiangjie?;LING Xiaobing;ZHOU Yong;LIU Yupeng;ZHANG Shaolei

作者机构：中兴通讯股份有限公司南京210012 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2015年第38卷第2期

页      码：402-409页

摘      要：在智能移动终端高速发展的大潮中,MEMS地磁传感器也得到了广泛应用。但是由于地磁传感器本身的特点,设计中往往会遇到诸多限制,一方面给工程设计带来了不便和难度,另外一个方面也限制了地磁传感器的发展。项目研究过程中针对地磁传感器对其附近要求不能走大电流信号的问题,通过理论分析和实践验证,提出了一套完整的自适应补偿算法,突破了该限制,提高了地磁扛干扰能力,给工程设计带来了便利,已获得批量应用,效果非常好。

主 题 词：地磁传感器 自适应 充电 各向异性磁阻 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2015.02.035

馆 藏 号：203142759...