应用于电磁超声的DE类功率放大器驱动电路设计

作     者：王新华 滕利臣 王奇之 涂承媛 WANG Xinhua;TENG Lichen;WANG Qizhi;TU Chengyuan

作者机构：北京工业大学机械工程与应用电子技术学院北京100124 

基　　金：北京市科学技术委员会首都科技条件平台资助项目(Z141100003414001) 

出 版 物：《北京工业大学学报》 (Journal of Beijing University of Technology)

年 卷 期：2016年第42卷第2期

页      码：203-209页

摘      要：为了进一步增强电磁超声激励源的激发效能,提高电磁超声换能器的工作效率,基于射频技术提出了一种DE类射频功率放大器,通过采用隔离电源方法,有效地解决了高边金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的"浮地"问题,实现了高频隔离.通过分析MOSFET开关工作状态及控制特性,确立了MOSFET开关的基本工作过程,从而建立了一种MOSFET驱动电路设计方法.通过对关键元件的选型设计与算法研究,构建了DE类功率放大器的驱动电路.实验结果表明:设计的MOSFET驱动电路的输出信号电压幅值为13.4 V,占空比50%,频率为1MHz,输出信号稳定,实现了对MOSFET的可靠驱动,能够满足实际应用.

主 题 词：DE类功率放大器 金属-氧化物半导体场效应晶体管 电源模块 

学科分类：082304[082304] 08[工学] 080204[080204] 0802[工学-机械学] 0812[工学-测绘类] 0823[工学-农业工程类] 

D　O　I：10.11936/bjutxb2015050115

馆 藏 号：203142788...