一种新型的低导通电阻折叠硅SOI LDMOS

作     者：段宝兴 张波 李肇基 Duan Baoxing;Zhang Bo;Li Zhaoji

作者机构：电子科技大学IC设计中心成都610054 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60436030)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第10期

页      码：1814-1817页

摘      要：提出了一种具有折叠硅表面SOI-LDMOS(FSOI-LDMOS)新结构.它是将硅表面从沟道到漏端的导电层刻蚀成相互排列的折叠状,且将栅电极在较薄的场氧化层上一直扩展到漏端.由于扩展栅电极的电场调制作用使FSOI-LDMOS在比一般SOI-LDMOS浓度高的漂移区表面,包括折叠硅槽侧面形成多数载流子积累,积累的多数载流子大大降低了漂移区的导通电阻.并且沟道反型层浓度基于折叠的硅表面而双倍增加,沟道导通电阻降低.通过三维仿真软件ISE分析,这种结构可以在低于40V左右的击穿电压下,获得超低的比导通电阻.

主 题 词：折叠硅 SOI LDMOS 多数载流子积累 击穿电压 比导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.10.023

馆 藏 号：203143172...