N型MOSFET器件总剂量效应通用测试系统设计

作     者：郭荣 梁润成 李国栋 郑智睿 孙丹 韩毅 郝焕锋 陈法国 闫学文 GUO Rong;LIANG Runcheng;LI Guodong;ZHENG Zhirui;SUN Dan;HAN Yi;HAO Huanfeng;CHEN Faguo;YAN Xuewen

作者机构：中国辐射防护研究院太原030006 核药研发转化及精准防护山西省重点实验室太原030006 

基　　金：山西省基础研究计划项目(202203021222407) 山西省应用基础研究计划(20210302124486) 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2024年第44卷第4期

页      码：622-630页

摘      要：抗辐照电机驱动器研发需要准确获取电桥电路金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)器件的总剂量效应失效阈值,电流-电压、电容-电压等离线测试方法,无法真实反映器件开关性能随累积剂量增加的连续变化过程。因此,针对MOSFET器件总剂量效应的在线测试需求,设计了基于高速信号采集及存储的通用化测试系统,具备被测样品驱动、高频信号采集、高速数据存储、数据模块管理等功能。利用典型商用MOSFET器件开展了总剂量效应测试,结果显示,当吸收剂量达598.08±41.54 Gy(Si)时,样品采集方波波形开始出现异常,低电平电压升高至0.82 V,高电平电压始终正常;随着累积剂量的增大,低电平电压持续性升高至1.08 V,并进一步升高至1.24 V,但器件开关功能保持正常;当累积剂量达1775.41±219.68 Gy(Si)时,采集波形跳变为2.93 V的直线,无方波信号输出,经判断MOSFET开关功能完全受损。

主 题 词：N 型 MOSFET 总剂量效应 失效阈值 测试系统 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203143291...