高温高斜率效率1060 nm单模半导体激光器

作     者：李睿骁 卢翔孟 赵伦 张雪阳 廖苗苗 罗庆春 邹佩洪 邱高山 张靖 LI Ruixiao;LU Xiangmeng;ZHAO Lun;ZHANG Xueyang;LIAO Miaomiao;LUO Qingchun;ZOU Peihong;QIU Gaoshan;ZHANG Jing

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2024年第45卷第4期

页      码：557-560页

摘      要：1060 nm半导体激光器在高能激光系统种子源、空间激光雷达等领域具有广泛的应用,受限于砷化镓体系InGaAs量子阱材料大应力,在1060 nm波段激光器外延生长缺陷密度较高,且由于目前该波段激光器结构设计普遍采用窄波导结构,腔内损耗和非辐射复合水平较高,激光器斜率效率较低,高温特性较差。传统InGaAs压应变量子阱势垒高度较低加剧了激光器的高温特性劣化。文章通过优化激光器外延生长条件并采用应变补偿量子阱结构和厚N包层结构,精确控制材料应力和势垒高度,降低腔内损耗,减小远场发散角,研制出了一种高性能1060 nm单模半导体激光器,斜率效率在85℃时依然超过0.9 W/A。此外,通过引入分布式反馈激光器悬浮掩埋光栅结构实现了激光器波长锁定,斜率效率超过0.7 W/A。

主 题 词：单模激光器 1060 nm半导体激光器 分布式反馈激光器 高斜率效率 

学科分类：080901[080901] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2024022103

馆 藏 号：203143366...