高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用

作     者：晁拴社 林欣毅 何潇 梅娜 杨丹 王梦华 欧阳可青 Chao Shuanshe;Lin Xinyi;He Xiao;Mei Na;Yang Dan;Wang Menghua;Ouyang Keqing

作者机构：移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室 深圳市中兴微电子技术有限公司 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2024年第49卷第10期

页      码：934-939页

摘      要：带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型，特别是先进制程和高速射频电路，CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术，如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)、电子束感应电流(EBIC)、透射电子显微镜(TEM),可以快速准确地定位失效位置并确认失效机理。通过分析先进制程芯片射频电路增益降低问题，确定了CDM泄放路径与失效形貌，并解释了CDM的损伤机理。通过高阶显微分析技术研究CDM失效问题，有助于优化ESD防护电路，提高芯片可靠性。

主 题 词：带电器件模型(CDM) 先进制程 高阶显微分析技术 泄放路径 失效形貌 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2024.10.010

馆 藏 号：203143843...