富士通首次制出100WGaN HEMT

作     者：邓志杰（摘译） 

出 版 物：《现代材料动态》 (Information of Advanced Materials)

年 卷 期：2009年第2期

页      码：9-10页

摘      要：日本“宽带隙”研发先驱单位——富士通公司在2008年9月份于德国举办的化合物半导体国际会议上宣布，他们首次研制成功100W脉冲增强模式GaNHEMT，旨在用于微波和毫米波基站，将于2010年用于大容量无线通信。据报道，该器件最大输出功率达126W，击穿电压336V。该晶体管是用MOCVD技术生长的，中间引入了AIN层并改进了栅极设计。

主 题 词：富士通公司 HEMT MOCVD技术 化合物半导体 最大输出功率 国际会议 无线通信 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号：203143992...