4H-SiC肖特基微型同位素电池(英文)

作     者：高鹏 李晓莹 乔大勇 姚贤旺 臧博 

作者机构：西北工业大学陕西省微/纳米系统重点实验室西安710072 

基　　金：National High Technology Research and Development Programme of China(2006AA04Z338) Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project of Ministry of Education of China(706055) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2010年第47卷第3期

页      码：157-162页

摘      要：半导体同位素电池由于其寿命长、集成性优良、环境适应性强等特点成为解决MEMS能源问题的理想手段。利用4H-SiC材料的宽禁带特性,制造了4H-SiC肖特基同位素电池。对电池的耗尽层厚度以及掺杂浓度进行了优化设计,对肖特基金属进行了选择。使用4mCi/cm2的63Ni作为同位素电池的放射源对制造的同位素电池进行了测试。测试结果表明,该同位素电池可以获得31.3nW/cm2的功率密度、0.5V的开路电压、3.13×10-8A/cm2的短路电流密度和1.3%的转换效率。将电池的输出特性和硅基的平板型、3D结构电池输出特性进行了比较,证明4H-SiC肖特基同位素电池能够获得较高的功率密度。电池的性能可通过提升势垒高度、提高工艺质量、更换同位素等方式得到提高。

主 题 词：MEMS 辐生伏特效应 微电池 4H—SiC 63Ni放射源 肖特基 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2010.03.006

馆 藏 号：203144046...