提高晶闸管di/dt能力的研究

作     者：高占成 潘福泉 关艳霞 

作者机构：北京东菱宏博电气科技发展有限公司 沈阳工业大学信息科学与工程学院 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2013年第11卷第3期

页      码：25-28,24页

摘      要：从di/dt损坏机制、定量公式入手,分析了国内外有关di/dt的著作、文章,研究了提高晶闸管器件di/dt能力的各种有效方法,给出了一个常规新设计及其研究成果。

主 题 词：晶闸管 di dt能力 放大门极 短路点 扩展速度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203144208...