不同E/cB值下同轴绝缘子闪络特性

作     者：李逢 王勐 任靖 康军军 杨尊 徐乐 夏明鹤 Li Feng;Wang Meng;Ren Jing;Kang Junjun;Yang Zun;Xu Le;Xia Minghe

作者机构：中国工程物理研究院流体物理研究所中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室四川绵阳621900 

基　　金：国家自然科学基金项目(50937004 51277168) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2013年第25卷第11期

页      码：3055-3059页

摘      要：基于磁场闪络抑制原理,研究了由回路电流产生的同轴自磁场对径向真空固体绝缘界面沿面闪络特性的影响规律。根据同轴结构电场E和磁场B的比值与半径无关、只与电路参数相关的特点,分别设计了E/cB(c为光速)为0.041,0.05,0.056和0.062的四种同轴电极结构,开展了有磁场和无磁场两种条件下电介质的真空沿面闪络实验研究。实验结果表明,在有利于磁场闪络抑制条件的自磁场位形下,真空沿面闪络耐压水平相比无磁场情况有明显提高,且比值E/cB越小闪络电压提高幅度越大。当E/cB比值为0.041时,沿面闪络电压可提高约1.3倍;而当自磁场位形反向时,沿面闪络电压相比于无磁场情况有所降低。

主 题 词：绝缘子 沿面闪络 自磁场闪络抑制效应 回路电流 同轴电极 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080803[080803] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/hplpb20132511.3055

馆 藏 号：203144219...