离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法

作     者：刘华松 傅翾 季一勤 张锋 陈德应 姜玉刚 刘丹丹 王利栓 冷健 庄克文 Liu Huasong;Fu Xuan;Ji Yiqin;Zhang Feng;Cheng Deying;Jiang Yugang;Liu Dandan;Wang Lishuan;Leng Jian;Zhuang Kewen

作者机构：天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室天津300192 哈尔滨工业大学光电子技术研究所黑龙江哈尔滨150080 二炮驻天津地区军事代表室天津300192 

基　　金：国家自然科学重点基金(61235011) 国家重大科学仪器与设备专项(2012YQ040164) 天津市自然科学基金(14JCQNJC02400 12JCQNIC01200 13JCYBJC17300) 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2014年第43卷第7期

页      码：2192-2197页

摘      要：采用正交试验设计方法,系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。采用正交表L9(34)设计了9组实验,采用时间监控的离子束溅射沉积方法,分别制备HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜,并对三种薄膜的27个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度,继而获得沉积速率。实验结果表明:对Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率影响的工艺参数相同,影响权重从大到小依次为离子束流、离子束压、氧气流量和基板温度;对HfO2薄膜沉积速率影响的工艺参数按权重从大到小依次为离子束流、离子束压、基板温度和氧气流量。研究结果为调整HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率提供了依据。

主 题 词：离子束溅射 HfO2薄膜 Ta2O5薄膜 SiO2薄膜 沉积速率 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0802[工学-机械学] 0825[工学-环境科学与工程类] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-2276.2014.07.028

馆 藏 号：203144265...