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面向等离子体合成射流应用的微秒脉冲源研制

面向等离子体合成射流应用的微秒脉冲源研制

作     者:王磊 章程 罗振兵 王林 严萍 邵涛 Wang Lei;Zhang Cheng;Luo Zhenbing;Wang Lin;Yan Ping;Shao Tao

作者机构:中国科学院电工研究所北京100190 中国科学院大学北京100039 中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室北京100190 国防科学技术大学航天科学与工程学院长沙410073 

基  金:国家自然科学基金项目(51222701 51477164) 

出 版 物:《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期:2016年第28卷第4期

页      码:133-139页

摘      要:为了产生高能等离子体合成射流,设计了一台面向等离子体合成射流应用的微秒脉冲源,输出电压为10kV,重复频率为100Hz,可承受高达250A的放电电流。详细介绍了微秒脉冲源的工作原理,比较了不同放电电容对脉冲变压器原边电流及输出电压的影响。进一步将所设计的微秒脉冲源成功应用于等离子体合成射流实验中,研究了不同间距对等离子体合成射流的影响,比较了有无放电电容条件下的能量消耗率。实验结果表明:不同放电电容在相同激励器间距的条件下,击穿电压基本相同;击穿电压随激励器间距增大而增大。有放电电容能产生较大的放电电流,且电流值随电容值的增大而增大。有放电电容条件下的能量消耗率比无放电电容要高,易于产生高能的等离子体合成射流。

主 题 词:等离子体合成射流 激励器 微秒脉冲源 放电电容 能量消耗率 

学科分类:0808[工学-自动化类] 080803[080803] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.11884/hplpb201628.045013

馆 藏 号:203144325...

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