PDP选址驱动芯片高压管设计

作     者：吴建辉 孙伟锋 陆生礼 

作者机构：东南大学ASIC工程技术研究中心南京210096 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2003年第33卷第2期

页      码：134-137页

摘      要：PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出 ,其中高压管的设计是关键 ,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV CMOS结构及其中的高低压转换电路 ,采用TSUPREM 4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析 ;通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于 80V ,工作电流大于

主 题 词：等离子体平板显示 击穿特性 高压管 PDP HV-CMOS结构 高低压转换电路 模拟分析 选址驱动芯片 设计 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081001[081001] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-0505.2003.02.004

馆 藏 号：203144740...