测试结深的另一种方法

作     者：郑若成 

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2004年第4卷第1期

页      码：59-60页

摘      要：传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控。

主 题 词：结深 电容 测试原理 测试结构设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2004.01.016

馆 藏 号：203144745...