数字技术跃上新台阶 高密度存储单元、改进的抗熔储单元及高性能工艺都可供未来的设计使用

作     者：DaveBursky 吴康迪 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：1995年第2卷第2期

页      码：26-29页

摘      要：可望制作吉(10~9)位动态随机存取存储器(RAM)和64M位静态RAM的 存储单元结构的进展,以及可在3.3V或更低电源电压下工作的高密度逻辑电路的发展,这些都是在IEDM会议上展示的重大进展,它表明存储器密度和逻辑电路的复杂性都在飞速提高.在多层金属互连和器件结构上的改进,也预示着下一代逻辑芯片的电路复杂性将会有重大改进.在第26会场,即“集成电路——先进的动态和静态RAM”会场上,有三篇论文着重谈到了一些最新存储器结构取得的最新进展.日本东芝公司、韩国三星电子公司和日本NEC公司均介绍了存储容量高达1吉位及超过1吉位的存储器使用的新颖存储单元结构和电路体系结构.

主 题 词：RAM 高密度存储单元 抗熔存储单元 数字技术 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号：203145426...