相变存储器中选通二极管的模型与优化

作     者：李宜瑾 凌云 宋志棠 贾晓玲 罗胜钦 LI Yi-jin;LING Yun;SONG Zhi-tang;JIA Xiao-ling;LUO Sheng-qin

作者机构：同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 

基　　金：国家集成电路重大专项(2009ZX02023-3) 国家重点基础研究发展计划(2007CB935400 2010CB934300 2006CB302700) 国家863计划(2008AA031402) 上海市科委(08DZ2200700 08JC1421700 09QH1402600) 中科院"院长特别奖获得者科研启动专项资金"(083YQA1001) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2010年第16卷第6期

页      码：536-541页

摘      要：设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。

主 题 词：相变存储器 选通二极管 数值模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.004

馆 藏 号：203145625...