超表面硅光偏振分束器制备及测试

作     者：朱仕杰 王路 石昊 赵俊 吴衍青 张磊 李镇江 龙家丽 杨树敏 邰仁忠 Zhu Shijie;Wang Lu;Shi Hao;Zhao Jun;Wu Yanqing;Zhang Lei;Li Zhenjiang;Long Jiali;Yang Shumin;Tai Renzhong

作者机构：上海大学微电子学院上海200444 中国科学院上海应用物理研究所上海201800 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海高等研究院上海同步辐射光源上海201204 之江实验室浙江杭州311100 

基　　金：国家重点研发计划(2017YFA0206002 2017YFA0403400) 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2024年第44卷第19期

页      码：289-295页

摘      要：根据梯度指数物理模型设计的超表面硅光偏振分束器方案,在绝缘体上硅(SOI)平台上利用电子束光刻(EBL)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等微纳加工手段完成了器件的制备。该方案针对该超表面器件的制造要求优化了制备工艺,所制备的器件超表面结构特征尺寸误差小于5 nm,刻蚀深度误差小于10 nm;最后利用搭建的硅光探针台进行实际测试,结果表明在覆盖C波段的1510~1590 nm波段范围内,TE模式的插入损耗小于3.9 dB,TM模式的插入损耗小于3.8 dB,消光比大于20 dB。

主 题 词：硅基光电子 超表面 偏振分束器 电子束光刻 电感耦合等离子体刻蚀 在片测试 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/AOS240878

馆 藏 号：203145659...