双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计

作     者：孙尧 刘剑 段文婷 陈瑜 陈华伦 Sun Yao;Liu Jian;Duan Wenting;Chen Yu;Chen Hualun

作者机构：上海华虹NEC电子有限公司上海201206 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2012年第37卷第8期

页      码：603-607页

摘      要：为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。

主 题 词：双n型深阱 隔离式高压n型沟道LDMOS 击穿电压 比导通电阻 非埋层工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2012.08.005

馆 藏 号：203145704...