一种获得纳米间隙电极的接触光刻方法

作     者：张玉龙 张艳 蒋书森 

作者机构：厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院福建厦门361005 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61071010) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2013年第50卷第8期

页      码：518-522页

摘      要：提出一种称之为"阵列误差光刻"的方法。采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布形成了一个最小的纳米间隙。设计并制作了一种含有16对电极的验证器件,按照光刻对准误差的范围为±2.0μm进行估算,理论上最小间隙的分布范围为0～150 nm。通过扫描电镜测量实际制造的样品,获得了大量50 nm以下的电极对,最小间隙为16.6 nm,并且制备的电极层厚度可以达到200 nm,使串联电阻较小。这种纳米间隙电极的制备方法简单有效。

主 题 词：电极对 纳米间隙 阵列误差光刻 接触光刻 纳米电子学 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2013.08.008

馆 藏 号：203145748...