基于MEMS高阻硅基底的X波段微带天线

作     者：洪泉 刘晓明 陈焕辉 邓振雷 朱钟淦 

作者机构：电子科技大学机械电子工程学院成都611731 

基　　金："十二五"科研项目(5131802030) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2013年第50卷第10期

页      码：629-634页

摘      要：对基于MEMS的高阻硅基底阵列式微带天线设计、制造及测试三部分内容进行了研究。此X波段阵列式微带天线以高阻硅为基底,采用背面刻蚀基底厚度一半的空气腔,使用侧馈的方式馈电,以二等功分器构成馈电网络。针对高阻硅脆性材料,天线加工采用深槽刻蚀、电镀、溅射、切割和封装。使用HFSS软件进一步分析刻蚀深度对天线驻波比、效率和损耗等电性能的影响,最终得出刻蚀深度应控制在221～224μm。对样品天线驻波比、增益和方向图进行测试,高阻硅基底阵列式微带天线样品测试驻波比为1.79,增益大于10 dB,测试结果满足设计和项目指标要求。

主 题 词：微电子机械系统(MEMS) 微带天线 HFSS 高阻硅 空腔 

学科分类：08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2013.10.004

馆 藏 号：203145755...