高精度、低功耗带隙基准源及其电流源设计
作者机构：西北工业大学机电学院西安710072
基 金：国家自然科学基金项目(51105316 50275125) 西北工业大学基础研究基金项目(NPU-FFR-JCY20130118)
出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)
年 卷 期：2014年第27卷第1期
页 码：58-63页
摘 要：提出一种适用于红外焦平面阵列传感器的高精度BiCMOS电压基准和电流基准设计方案。该方案采用新型电压基准输出级降低Brokaw带隙基准源中的厄尔利效应使电流镜电流完全匹配,同时减小电压基准的输出阻抗;接着利用共源共栅结构的偏置电流提高带隙基准的电源抑制PSR(Power Supply Rejection)特性;最后通过4个MOSFET管将基准电压和电阻电压钳制相等,进而得到一个高精度、低温度系数的电流基准;而以单个二极管连接的MOSFET作为电流基准启动电路的方式,可更进一步降低电路复杂性。系统采用CSMC 0.5μm BiCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具对电路进行仿真。结果表明,在电源电压5 V,-40℃到125℃温度范围内,基准电压和基准电流的温度系数分别为13×10-6/℃和31×10-6/℃,输出电流波动低于0.5%,整体电路的PSR为-86.83 dB,解决了恒定跨导基准源精度低的缺陷,符合红外焦平面阵列对基准源高精度、高PSR和低功耗的要求。
主 题 词：带隙基准源 电流源 源极跟随器 高精度 BiCMOS工艺
学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类]
核心收录：
D O I：10.3969/j.issn.1004-1699.2014.01.011
馆 藏 号：203145773...
