自旋存储器大显身手

作     者：Rachel Courtland 

出 版 物：《科技纵览》 (IEEE Spectrum)

年 卷 期：2014年第8期

页      码：13-14页

摘      要：自旋转移矩MRAM将有可能淘汰部分主流存储器。 在我们看来，在硬盘驱动的读头中搜寻存储器技术的未来并非明智之举。但是，位于加州米尔皮塔斯市的TDK—Headway技术公司却断定。毫不显眼的磁隧道结——该公司用于从硬盘盘片中读取数据的设备——可以通过重新设计包装而形成一种新型的信息存储方式。

主 题 词：自旋转移 存储器 大显 信息存储方式 MRAM 磁隧道结 TDK 技术 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号：203145812...