一种非带隙结构基准源的设计及特性分析

作     者：陈华 周锋 李舜 严伟 CHEN Hua;ZHOU Feng;LI Shun;YAN Wei

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2008年第28卷第1期

页      码：105-108,113页

摘      要：设计了一种非带隙结构的电压基准源,并对该基准源作了电源抑制特性的理论分析。这一设计在Chart-ed0.35μm CMOS工艺条件下流片实现,在3~110°C的温度范围内测试结果达到了17.4ppm/°C的性能。

主 题 词：低功耗 电压基准源 非带隙结构 电源噪声抑制 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2008.01.024

馆 藏 号：203146114...