一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路

作     者：张辉 陈晓娟 刘果果 曾轩 袁婷婷 陈中子 王亮 刘新宇 ZHANG Hui;CHEN Xiao-juan;LIU Guo-guo;ZENG Xuan;YUAN Ting-ting;CHEN Zhong-zi;WANG Liang;LIU Xing-yu

作者机构：中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室北京100029 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903) 中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2009年第32卷第1期

页      码：24-27页

摘      要：论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB。

主 题 词：AlGaN/GaNHEMT 内匹配 混合集成电路 功率放大器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2009.01.007

馆 藏 号：203146281...