多相位低相位噪声5GHz压控振荡器的设计

作     者：赵海兵 王志功 陈莹梅 章丽 熊明珍 ZHAO Hai-bing;WANG Zhi-gong;CHEN Ying-mei;ZHANG Li;XIONG Ming-zhen

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：国家863计划项目2002AA31223支持 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2005年第28卷第1期

页      码：164-166页

摘      要：采用TSMC 0.18μmCMOS工艺实现了全差分相位差为 450 的 LC低相位噪声环形压控振荡器电路。芯片面积 1.05 mm×1.00 mm。当仅对差分输出振荡信号的一端进行测试时, 自由振荡频率为5.81 GHz, 在5 MHz频偏处的相位噪声为-101.62 dBc/Hz。

主 题 词：压控振荡器(VCO) 环形振荡器 CMOS工艺 

学科分类：080903[080903] 080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.042

馆 藏 号：203146928...