相变随机存储器材料与结构设计最新进展

作     者：刘波 宋志棠 封松林 Liu Bo;Song Zhitang;Feng Songlin

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室上海200050 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2007CB935400 2006CB302700) 国家863计划资助项目(2006AA03Z360 2008AA031402) 国家自然科学基金资助项目(60706024) 上海市科委资助项目(06QA14060 06XD14025 0652nm003 06DZ22017 0752nm013 07QA14065) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第9期

页      码：737-742页

摘      要：介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。

主 题 词：相变随机存储器 相变材料 热阻层材料 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.001

馆 藏 号：203148000...