低压VD MOS大功率晶体管设计及其优化

作     者：王开 刘俐 封晴 王立模 

作者机构：中国华晶电子集团公司中央研究所无锡214035 

出 版 物：《微电子技术》 (Microelectronic Technology)

年 卷 期：1996年第24卷第6期

页      码：20-23页

摘      要：本文着重分析了低压超大电流VDMOS所要解决的技术关健点，并做了深入地理论分析，包括超大流下电流容量、元胞结构、终端结构及相应外延参数等的选取，以获得尽可能大的电流容量和极小的导通电阻、以及较优的耐压性能，最终对一个电流约30A，耐压约60V的芯片进行了流水试验，并获得满意的使用效果。

主 题 词：VDMOS 大功率晶体管 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203148541...