新型静电泄放保护电路设计方法

作     者：王源 陈中建 贾嵩 鲁文高 傅一玲 吉利久 Wang Yuan;Chen Zhongjian;Jia Song;Lu Wengao;Fu Yiling;Ji Lijiu

作者机构：北京大学微电子研究院北京100871 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第7期

页      码：1156-1160页

摘      要：提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μmCMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.

主 题 词：静电泄放 人体模型 MOSFET 输入输出单元库 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.07.031

馆 藏 号：203148551...