基于SOI硅片高g值加速度计的设计与分析

作     者：汪祖民 许高斌 展明浩 郭群英 方澍 

作者机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心合肥230009 中国兵器工业第214研究所蚌埠233042 

出 版 物：《集成电路通讯》 

年 卷 期：2010年第1期

页      码：40-47页

摘      要：基于SOI硅片，设计了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元，采用三梁一扇形质量决平板内振动结构，与传统的平面外振动结构相比较，该结构具有较高的谐振频率与灵敏度。采用两两相对的单元布局方式，可有效的消除横向灵敏度的影响，提高结构的测量精度。建立理论模型并利用ANSYS软件对结构进行模拟分析与验证。分析表明，加速度计在X轴向、Y轴向灵敏度分别为1.2μv／g、1.18μv／g；谐振频率分别为479KHz、475KHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。

主 题 词：加速度计 SOI 扇形结构 U型压敏电阻 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

馆 藏 号：203148662...