基于片内SRAM的固态硬盘转换层设计

作     者：谢长生 李博 陆晨 王芬 XIE Chang-sheng;LI Bo;LU Chen;WANG Fen

作者机构：华中科技大学计算机学院武汉光电国家实验室武汉430074 辛辛那提大学电子工程系美国辛辛那提45221 

基　　金：国家自然科学基金项目(60933002) 863课题(2009AA01A402) 留学生基金委资助 

出 版 物：《计算机科学》 (Computer Science)

年 卷 期：2010年第37卷第7期

页      码：296-300页

摘      要：SSD逐渐成为了存储业界研究的热点。提出基于片内SRAM的flash转换层设计——SBAST,通过SRAM缓存更新的页提高了SSD随机写的效率,并减少了不必要的擦除操作。通过SSDsim的仿真实验,论证了该设计的有效性,给出了后续的计划。

主 题 词：固态存储器 Flash转换层 擦除操作 随机写 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-137X.2010.07.073

馆 藏 号：203148668...