超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析

作     者：沈珮 张万荣 金冬月 谢红云 黄毅文 Shen Pei;Zhang Wanrong;Jin Dongyue;Xie Hongyun;Huang Yiwen

作者机构：北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124 

基　　金：国家自然科学基金(60776051 61006059 61006044) 北京市自然科学基金(4082007)和国家公派专项研究生奖学金(3006)资助项目 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2011年第21卷第1期

页      码：77-82页

摘      要：设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。

主 题 词：低噪声放大器(LNA) SiGe异质结双极晶体管 超宽带(UWB) 阻抗匹配 噪声系数 

学科分类：0810[工学-土木类] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3772/j.issn.1002-0470.2011.01.013

馆 藏 号：203148690...