新型双环路电流型压控振荡器

作     者：王钊 刘飞 吉利久 

作者机构：北京大学微电子所北京100871 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2002年第23卷第3期

页      码：305-310页

摘      要：基于电流环振结构 ,同时应用了负延迟前接机制 ,实现了一种新型的双环路电流型压控振荡器结构 ,不仅提高了压控振荡器的振荡频率 ,而且也优化了噪声特性 .设计采用 1.2μm上海贝岭 Bsim CMOS工艺参数 ,利用 Ca-dence Spectre工具仿真 .仿真结果表明 ,新结构与其他结构相比在频率特性上有近 2 0 0 MHz的提高 ,噪声特性方面则有明显改进 ,偏移中心频率 10 0 k Hz处的相位噪声为 - 75 dbc/

主 题 词：负延迟机制 CMOS 电流型压控振荡器 相位噪声 双环路 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2002.03.015

馆 藏 号：203148865...