LPDDR2在LTE终端的PCB叠层结构设计

作     者：林峰 黄学达 LIN Feng;HUANG Xueda

作者机构：重庆邮电大学重庆重邮信科通信技术有限公司重庆400065 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2011年第33卷第4期

页      码：657-660页

摘      要：研究了长期演进(LTE)终端的印刷电路板(PCB)叠层设计过程及工程上常用的材料规格,并讨论了叠层结构对阻抗、信号回路的影响。分析了在设计带有低功耗双倍数据速率(LPDDR2)芯片的LTE终端电路板时如何根据阻抗的需要设计叠层结构,并结合实际工艺制作的情况,重点提出在设计叠层结构时应注意参数改变问题,分析了参数改变的原因及解决方法。

主 题 词：长期演进(LTE) 信号回路 低功耗双倍数据速率(LPDDR2) 叠层结构 

学科分类：080801[080801] 1002[医学-临床医学类] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-2474.2011.04.039

馆 藏 号：203149258...