新型Si_3N_4层部分固定正电荷AlGaN/GaNHEMTs器件耐压分析

作     者：段宝兴 杨银堂 Kevin J.Chen 

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 Department of Electronic and Computer EngineeringHong Kong University of Science and TechnologyClear Water BayHong KongChina 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006) 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61106076 61006052)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2012年第61卷第24期

页      码：464-469页

摘      要：为了优化传统AlGaN/GaN high electron mobility transistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种Si3N4钝化层部分固定正电荷AlGaN/GaN high electron mobility transistors新结构.Si3N4钝化层中部分固定正电荷通过电场调制效应使表面电场分布中产生新的电场峰而趋于均匀.新电场峰使得新结构栅边缘和漏端高电场有效降低,器件击穿电压从传统结构的296V提高到新结构的650V,而且可靠性改善.通过Si3N4与AlGaN界面横、纵向电场分布,说明了产生表面电场峰的电场调制效应,为设计Si3N4层部分固定正电荷新结构提供了科学依据.Si3N4钝化层部分固定正电荷的补偿作用,使沟道二维电子气浓度增加,导通电阻减小,输出电流提高.

主 题 词：AlGaN GaN high electron mobility transistors 固定电荷 电场调制 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203150003...