功率VMOS器件的参数最佳化折衷

作     者：潘志斌 徐国治 

作者机构：西安交通大学 

出 版 物：《电讯技术》 (Telecommunication Engineering)

年 卷 期：1989年第29卷第2期

页      码：35-37页

摘      要：改善功率VMCS器件设计的一个关键问题,是如何对耐压BV_(DSS)和导通电阻R_(on)进行合理的最佳化折衷。本文采用计算机辅助设计(CAD)的方法对各种可能的工艺和结构参数进行了大量计算,按照实际生产中的工艺条件进行筛选,得出了最佳化的设计参数。经与VN0906参照对比,证明设计是十分有效和准确的。

主 题 词：VMOS 功率 MOSFET 最佳化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203150058...