SiO_2牺牲层刻蚀实验的研究与分析

作     者：梁庆 苑伟政 虞益挺 乔大勇 LIANG Qing;YUAN Wei-zheng;YU Yi-ting;QIAO Da-yong

作者机构：西北工业大学陕西省微/纳米系统重点实验室陕西西安710072 

基　　金：西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200610) 西北工业大学博士论文创新基金资助项目(CX200611) 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2008年第30卷第3期

页      码：372-375页

摘      要：氢氟酸(HF)刻蚀SiO2牺牲层受多种因素影响,其中刻蚀液的温度、组分、浓度、被刻蚀结构的形式及结构内部的残余应力等是最主要的。样品设计了多种测试结构,深入研究这些因素对刻蚀速率及结果的影响,并进行了详细的讨论与分析。通过实验可观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经长时间的刻蚀,HF的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素。对于实验过程中观察到的"凸"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因。

主 题 词：微机电系统 牺牲层 刻蚀速率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-2474.2008.03.037

馆 藏 号：203150116...